机译:alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌可能源于通道电子的能量弛豫?
机译:具有非常薄的SiO_2栅极电介质的Si(111)衬底上的AlGaN / GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管的直流性能和电流崩溃
机译:基于外延横向过度的Ridge-Channel AlGaN / GaN常关高电子迁移率晶体管
机译:使用渐变AlGaN缓冲器控制InAlN / GaN高电子迁移率晶体管中的短沟道效应
机译:性能改进的常关型AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管,在凹入的栅极下方具有设计的p-GaN区域
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌是否可能源于沟道电子的能量弛豫?
机译:钝化AlGaN / GaN高电子移动晶体管的大信号线性和高频噪声